1. FDU6512A
  2. FDU6512A

图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

FDU6512A 

产品描述

MOSFET 20V N-Ch PwoerTrench

内部编号

3-FDU6512A

#1

数量:2511
1+¥7.5509
25+¥7.0115
100+¥6.7033
500+¥6.4722
1000+¥6.0869
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

FDU6512A产品详细规格

标准包装 1,800
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 20V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 10.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 21 mOhm @ 10.7A, 4.5V
VGS(TH)(最大)@ Id 1.5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 19nC @ 4.5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1082pF @ 10V
功率 - 最大 1.6W
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件封装 I-Pak
包装材料 Tube
产品种类 MOSFET
RoHS RoHS Compliant
晶体管极性 N-Channel
漏源击穿电压 20 V
源极击穿电压 +/- 12 V
连续漏极电流 36 A
抗漏源极RDS ( ON) 16 m Ohms
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
安装风格 Through Hole
封装/外壳 IPAK
封装 Tube
下降时间 8 ns
正向跨导gFS (最大值/最小值) 50 S
最低工作温度 - 55 C
功率耗散 3.8 W
上升时间 8 ns
工厂包装数量 75
典型关闭延迟时间 24 ns
寿命 Obsolete
最大门源电压 ±12
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 175
通道模式 Enhancement
标准包装名称 TO-251
最低工作温度 -55
渠道类型 N
最大漏源电阻 21@4.5V
最大漏源电压 20
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 IPAK
最大功率耗散 3800
最大连续漏极电流 10.7
引脚数 3
铅形状 Through Hole
FET特点 Logic Level Gate
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 10.7A (Ta), 36A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 1.5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 20V
标准包装 1,800
供应商设备封装 I-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 21 mOhm @ 10.7A, 4.5V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 1.6W
输入电容(Ciss ) @ VDS 1082pF @ 10V
闸电荷(Qg ) @ VGS 19nC @ 4.5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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  • 苏州
  • 0512-67683728
    0512-68796728
    0512-67684200
    0512-67483580
    0512-67687578
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